晶圆减薄机 Grinder

型 号:北京中电科WG-1220

产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准,可以广泛应用于数据缓存、数据处理。

所属分类:

封装服务

关键词:EDA软件与芯片展示

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  • 产品描述

    封装

     

    晶圆减薄机                     

    Grinder    

     

    型    号:北京中电科WG-1220

    功    能:用于8寸及以下的晶圆(SOISI、玻璃等其他半导体材料)减薄。

    工 程 师:孙自洁/

    设备地点:封测区

    设备编号: 

     

     

    设备基本信息

    主要用途:

    用于8英寸及以下的晶圆(SOI、Si、玻璃等其他半导体材料)减薄,该设备将为后期的封装工艺提供便利。

    工艺/测试能力:

    晶圆减薄后的厚度精准度可达到2μm以内,晶圆减薄后的粗糙度可达到15-20 nm

    技术指标:

    1. 磨轮转速:1000-4000rpm

    2. 工作台转速:0-300rpm

    3. 输出功率:7.5kw

    4. 进给速度:0.01~50mm/s

     

    设备工作原理

    通过真空吸盘使得晶圆固定在工作台面上,环形金刚石磨轮工作面的内外圆周中线调整至硅片中心位置。晶圆和磨轮绕着各自的轴线回转,进行切入磨削,使得晶圆背面被均匀减薄,实现减薄工艺。

     

    典型使用案例

    硅片减薄

对大部分的液体材料,通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征,最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物,如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等,介电常数测蛋表征的优势更加突出。

基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品,封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准,可以广泛应用于数据缓存、数据处理。