- 产品描述
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热加工与离子注入
快速热退火炉

Rapid Thermal Processing

型 号:台湾技鼎RTP-150M
功 能 以极快的升降温速率、在精确气氛与温度控制下,对晶圆/材料进行短时间高温处理,实现晶格修复、杂质激活、薄膜晶化与合金化。
工 程 师:彭林志/
设备地点: 薄膜II区
设备编号:
设备基本信息
主要用途:
1. 用于样品的快速热退火工艺;
2. 可实现300~1100℃之间的热退火;
3. 可用于离子注入后的激活工艺、各种材料的热退火,损伤修复等工艺;
4. 可实现材料的热氧化相变;
工艺/测试能力:
可以实现6英寸以及以下晶圆或碎片快速热退火,工艺温度300~1100℃,可以自主编程控制温度区间,具备氮气、氧气、氢氮混合气体等三路工艺气体。
技术指标:
设备具备2种控温模式,低温(800℃以下)热电偶控温模式,800℃以上红外控温模式,升温速率10℃/s,温控精度1%以内。
设备工作原理
典型使用案例
对大部分的液体材料,通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征,最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物,如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等,介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品,封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准,可以广泛应用于数据缓存、数据处理。