- 产品描述
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干法刻蚀
等离子去胶机
Plasma Asher
型 号： 创世威纳MPR-6
功 能： 利用低射频能量激发气体形成等离子体，通过等离子体中的高活性粒子与光刻胶发生化学反应，从而将其分
解并去除；适用于多种类型的光刻胶去除。
工 程 师： 彭林志/
设备地点： 薄膜II区
设备编号：
设备基本信息
主要用途：
利用低射频能量激发气体形成等离子体，通过等离子体中的高活性粒子与光刻胶发生化学反应，从而将其分解并去除。
工艺/测试能力：
适用于以下胶体：
1.正性光刻胶，如AZ系列（AZ1500、AZ400K、AZ6130等）、Shipley系列（S1800、S2200等）；
2.负性光刻胶：未高度交联的负胶（如早期DNQ负胶）、薄层负胶（厚度＜5μm），不支持SU8系列和厚度＞10μm的厚胶
3.电子束光刻胶：PMMA、ZEP520
4.聚酰亚胺前驱体，仅适用于未完全亚胺化状态下的部分去除。
5.剥离胶，如LOR3A、LOR5A
技术指标：
1. 支持6英寸及以下晶圆或碎片；
2. 气体种类：O₂、Ar；
3. 最大功率：600W；
4. 射频频率：13.56MHz。
设备工作原理
典型使用案例
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
致力于异质异构集成，毫米波射频测试、EDA及人工智能综合服务
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