离子束刻蚀 Ion Beam Etching System

型号：创世威纳DISC-IBE-150C

产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。

所属分类：

封装服务

关键词：EDA软件与芯片展示

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产品描述

- 商品名称: 离子束刻蚀 Ion Beam Etching System
型号：创世威纳DISC-IBE-150C

干法刻蚀

离子束刻蚀
Ion Beam Etching System

型号：创世威纳DISC-IBE-150C
功能：利用低能量平行Ar⁺离子束，对基片表面进行刻蚀。
工程师：彭林志/
设备地点： 薄膜II区
设备编号：

设备基本信息
主要用途：
利用低能量平行Ar+离子束进行刻蚀。采用纯物理的刻蚀原理，分辨率、陡直性好。可以对大部分材料进行刻蚀，如金属，合金，氧化物，化合物等。
工艺/测试能力：
刻蚀均匀性与重复性：4英寸衬底均匀性优于±5%，重复性优于±5%。
1. 可刻蚀金属、合金、氧化物、化合物等材料；
2. 可进行Al、Ni、Cr、Ti、Cu等金属薄膜RIE刻蚀；
3. 可进行多晶硅刻蚀。
技术指标：
1. 离子源口径：Ф160mm；
2. 离子束有效束径：≥Ф100mm；
3. 离子能量可调范围：50~1000eV；
4. 离子束流密度：0-1mA/cm²；
5. 推荐使用束流：0-100mA；
6. 水冷工作台温度：≤20℃；
7. 工作台旋转：自转，转速0-30rpm连续可调；
8. 支持4英寸及以下晶圆或碎片。

设备工作原理
当定向高能Ar⁺离子向固体表面撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子
能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。表面上未被掩膜覆盖部分的材料被去除，从而达到选择刻蚀的目的。

典型使用案例