反应离子刻蚀 Reactive Ion Etching

型号：北方华创GDE-C200L

产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。

所属分类：

封装服务

关键词：EDA软件与芯片展示

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产品描述

- 商品名称: 反应离子刻蚀 Reactive Ion Etching
型号：北方华创GDE-C200L

干法刻蚀

反应离子刻蚀
Reactive Ion Etching

型    号：北方华创GDE-C200L
功    能：利用电感耦合等离子体-反应离子对介质或金属进行刻蚀。
工程师：彭林志/
设备地点：薄膜II区
设备编号：

设备基本信息
主要用途：
主要用于刻蚀GaN、InP等III-V族化合物、光刻胶等。
工艺/测试能力：
对于GaN或InP的刻蚀速率大于250nm/min，对于PR掩膜的选择比分别为12.8:1和5.6:1，侧壁刻蚀角度大于85°，片内不均匀性低于5%。
技术指标：
支持8英寸及以下晶圆或碎片，ICP功率1500W，偏压功率500W，刻蚀气体为BCl₃、SiCl₄、Ar、O₂、N₂等。

设备工作原理
ICP-RIE（电感耦合等离子体-反应离子刻蚀）是将ICP与反应离子刻蚀（RIE）技术相结合的先进技术，旨在提高刻蚀速率、
高选择性和低损伤刻蚀。由于等离子体可以保持在低压下，因此还提供了出色的轮廓控制。

ICP-RIE系统引入特定的刻蚀气体，然后将射频电源引入一个导体线圈，与反应室的气体分隔开来。当射频电源通过导体线圈时，
会在导体周围产生震荡的电磁场。震荡电磁场能量通过感应耦合的方式传递给反应室中的气体，导致气体分子中的电子被激发并
从原子中解离出来，形成自由电子和正离子。自由电子在电磁场中继续获得能量，并且与更多的气体分子碰撞，导致更多的电子
被解离，形成高密度的等离子体。

典型使用案例