- 产品描述
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薄膜沉积
等离子增强化学气相沉积
PECVD system
型 号：创世威纳PECVD-601
功 能：利用射频电离含成膜原子的气体，形成局部等离子体，引发气相反应，在样品表面沉积固态薄膜。
工 程 师： 周爱文/
设备地点： 薄膜I区
设备编号：
设备基本信息
主要用途：
主要用于300℃下SiO2和Si3N4等薄膜生长。
工艺/测试能力：
1. 满足6英寸及以下晶圆蒸镀薄膜；
2. 可实现SiO2和Si3N4薄膜沉积；
3. 加热温度最大可达300℃。
技术指标：
1. 膜厚不均匀性：≤±6%（Φ150mm范围内）；
2. 加热温度~300℃，控温精度±1%。
设备工作原理
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，
利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列
化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。
典型使用案例
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
致力于异质异构集成，毫米波射频测试、EDA及人工智能综合服务
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