- 产品描述
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薄膜沉积
原子层沉积
Atomic Layer Deposition
型 号：科民T-ALD-200D
功 能：沉积高台阶覆盖能力的介质薄膜材料，如金属氧化物，厚度可实现原子层的控制。
工 程 师：周爱文/
设备地点：薄膜I区
设备编号：
设备基本信息
主要用途：
沉积超薄高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜材料。
工艺/测试能力：
1. 可沉积Al2O3介质薄膜；
2. 支持8寸及以下的整片和碎片；
3. 加热温度最大可达500℃。
技术指标：
1. 支持8英寸以下的样品加工；
2. 镀膜均匀性：8英寸衬底Al2O3均匀性优于±1%；
3. 工艺温度及温度控制精度：室温~500℃，沉积温度控制精度±1℃。
设备工作原理
常规原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基片上自限制式化学吸附并在一定
温度下反应而形成单原子层沉积膜的一种方法。不断重复这种自限制反应就形成所需要厚度的薄膜。在
膜层的均匀性、保形性、阶梯覆盖率以及厚度控制等方面都具有明显的优势。
典型使用案例
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
致力于异质异构集成，毫米波射频测试、EDA及人工智能综合服务
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