- 产品描述
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薄膜沉积
电子束蒸发2
Electron Beam Evaporator 2
型 号：创世威纳MEB-600
功 能：利用高能电子束加热蒸发源材料，
使其气化沉积于基底表面，可在常温下制备高
纯度、膜厚可控的金属单质薄膜。
工 程 师：周爱文/
设备地点：薄膜I区
设备编号：
设备基本信息
主要用途：
常温下满足8英寸以下的样品蒸镀薄膜下沉积金属薄膜。
工艺/测试能力：
1. 可沉积Cr、Ni、Al、Ti等金属薄膜；
2. 满足8英寸及以下的样品蒸镀薄膜；
3. 常温下沉积薄膜满足带光刻胶蒸镀。
技术指标：
1. 支持8英寸以下的样品加工；
2. 镀膜不均匀性：≤±5％（Φ6英寸范围内）。
设备工作原理
灯丝发射的热电子经阴极与阳极间的高压电场加速并聚焦，由磁场使之偏转到达坩埚待蒸发
材料表面，轰击材料引起晶格振动，释放热量，直至材料熔化或升华，将材料蒸发沉积。
典型使用案例
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
致力于异质异构集成，毫米波射频测试、EDA及人工智能综合服务
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