- 产品描述
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薄膜沉积
多靶磁控溅射系统

Multi-target Magnetic Control Sputtering System

型 号:创世威纳DISC-SP-3200
功 能:通过磁控溅射技术在不同衬底上沉积:金属、非金属、金属氧化物、
非金属氧化物、半导体等薄膜。
工 程 师: 周爱文/
设备地点: 薄膜I区
设备编号:
设备基本信息
主要用途:
沉积高质量、厚度精确可控制的金属单质及氧化物半导体、化合物等多种薄膜。
工艺/测试能力:
1. 支持溅射Ti、Cu、Al等镀膜;
2. 支持6英寸以下的样品加工;
3. 直流溅射功能:可制备各种金属薄膜;
4. 可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积;
5. 工件台具备600℃以下加热功能。
技术指标:
1.非均匀性±5%@6英寸衬底;
2.具备600℃以下加热功能,控温精度±1%;
3.支持6英寸以下的样品加工。
设备工作原理
利用射频,将工作气体氩气电离。再利用磁场束缚电子的运动,提高电子的离化率,从而提高等离子密度,
提高溅射速率。当足够高能量的粒子(大于溅射阈值)轰击靶材表面,使其中的原子发射出来,沉积在衬
底表面,实现溅射镀膜。
典型使用案例
对大部分的液体材料,通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征,最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物,如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等,介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品,封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准,可以广泛应用于数据缓存、数据处理。