- 产品描述
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光刻/图形化
MA8双面对准接触式紫外光刻机
MA8 Mask Aligner
型 号：SUSS MA8
功 能：800nm到微米级微纳结构与器件图形光刻。
工 程 师：李旭辉
设备地点：黄光区
设备编号：
设备基本信息
主要用途：
微纳器件中加工微米级结构图形，是将设计好的电路图案转移到基底上，
后通过刻蚀等工艺将其变为实际的电路图案。
工艺/测试能力：
微纳器件加工中曝光微米级结构图型，分辨率: 0.8μm ，正面套准精度：±0.5μm ，
背面套准精度：±1μm ，支持8、6、4英寸及碎片。
技术指标：
1. 分辨率: 0.8μm
2. 正面套准精度：±0.5μm；背面套准精度：±1μm
3. 支持8、6、4英寸及碎片。
设备工作原理
典型使用案例
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
致力于异质异构集成，毫米波射频测试、EDA及人工智能综合服务
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