HPDS2012FL300MU8013
• 产品类型：低通滤波器
• 工作温度：- 55℃ ~ + 125℃
• 通带范围：DC ~ 300MHz
• 储存温度：- 65℃ ~ + 150℃
• 产品工艺：高阻硅IPD工艺
• 产品尺寸：2.0 x 1.2 x 0.35mm³
• 封装形式：金丝键合
• 引脚数量：5个
• 性能特点：带内插损小，带外抑制高
• 焊盘材料：铝
• 产品应用：滤波、谐波抑制、系统应用
• 焊盘尺寸：100 x 100um²
• 工作温度：- 55℃ ~ + 125℃
• 通带范围：DC ~ 300MHz
• 储存温度：- 65℃ ~ + 150℃
• 产品工艺：高阻硅IPD工艺
• 产品尺寸：2.0 x 1.2 x 0.35mm³
• 封装形式：金丝键合
• 引脚数量：5个
• 性能特点：带内插损小，带外抑制高
• 焊盘材料：铝
• 产品应用：滤波、谐波抑制、系统应用
• 焊盘尺寸：100 x 100um²
产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
所属分类：
IPD(集成无源器件)产品展示
关键词：EDA软件与芯片展示
- 产品描述
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
致力于异质异构集成，毫米波射频测试、EDA及人工智能综合服务
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