基于晶圆级扇出工艺的毫米波低噪声放大器封装
技术特点
• 采用EMC重构晶圆嵌入背部焊接钼铜片的低噪放芯片，与TMV转接板一体封装,满足芯片背面直接接地、正面RDL接地需求
• 正面采用两层PI+两层金属结构，通过错孔将射频信号与表面GCPW传输线互连
• 在24.25~ 33GHz频段内，封装后低噪放增益恶化≤1dB，噪声系数恶化≤0.1dB
• 端口反射系数恶化2dB
• 采用EMC重构晶圆嵌入背部焊接钼铜片的低噪放芯片，与TMV转接板一体封装,满足芯片背面直接接地、正面RDL接地需求
• 正面采用两层PI+两层金属结构，通过错孔将射频信号与表面GCPW传输线互连
• 在24.25~ 33GHz频段内，封装后低噪放增益恶化≤1dB，噪声系数恶化≤0.1dB
• 端口反射系数恶化2dB
产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
所属分类：
封装天线与工艺展示
关键词：EDA软件与芯片展示
- 产品描述
对大部分的液体材料，通过对介电常数的精准测蛋来获得其组分信息、结构信息和极化机理,相对于基于光学的光谱测蛋表征，最近已经变得越来被流行。尤其对于天然的混合物，如牛奶、果汁、谷物和一些软组织等，介电常数测蛋表征的优势更加突出。
基于国产DDR3管芯的SiP 级封装产品，封装尺寸8.5mmx 10mm。产品电气特性符合JESD79-3F DDR3 SDRAM标准。内部合封16位DDR3/3L裸芯片2颗、端接电阻、电容组成32位存储芯片。产品设计符合工业级标准，可以广泛应用于数据缓存、数据处理。
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